三星与SK海力士，库存不足10天

KB证券表示受存储芯片供应短缺隐忧影响，上调明年超大规模科技企业AI资本开支预期至1.3万亿美元。

三星电子与SK的存储芯片库存已经降至不足10天消耗量，市场对于全球存储芯片供给持续收紧的担忧正在快速发酵，不少产业观点警示，到明年市场可流通现货或将面临枯竭风险。分析师普遍判断，在人工智能基础设施投资以前所未有的速度扩张背景之下，存储芯片市场正走向一轮严重的供给短缺，这已经不再是传统行业周期里简单的需求回暖，而是AI算力爆发带来的结构性供需错配。

纵观过去两年的产业变化，生成式大模型快速落地，AI应用从实验室训练大规模转向商业化推理部署，全球超大规模云厂商持续向上修订资本开支计划，算力集群建设节奏不断提速，存储芯片的消耗规模随之成倍放大。单台AI服务器所需要的DRAM容量，可达传统通用服务器的8‑10倍，企业级SSD的需求量也数倍于传统数据中心设备，算力硬件的竞争重心，已经逐步从GPU性能比拼延伸到存储供给保障层面。

根据KB证券9月7日对外发布的行业研报，机构将明年全球超大规模科技企业的AI基础设施投资规模上调至1.3万亿美元，同比增幅达到60%。AI商业模式逐步跑通，智能代理、大模型托管、按token计费等业务已经形成稳定直接营收来源，成为拉动资本开支上行的核心动力。测算数据显示，明年存储半导体将占到AI基础设施总投资的57%，对比去年14%的占比实现接近四倍提升；市场调研机构集邦咨询（TrendForce）则更为乐观，预计该占比最高将攀升至68%，意味着未来AI基建的大部分资金，都将流向DRAM与NAND闪存产品。

加剧本轮供给紧张局面的核心变量，来自行业向新一代高带宽内存HBM4的技术迭代。HBM4为满足AI芯片极高带宽需求，制造工艺更为复杂，同等产出情况下，需要消耗的晶圆产能约为通用DRAM的三倍。现阶段HBM4尚处在量产爬坡阶段，整体良率不及上一代HBM3E，进一步抬高晶圆资源消耗，在全球晶圆制造总产能短期难以大幅扩张的约束之下，HBM4的大规模量产，必然会直接挤压传统通用DRAM可以分配到的产能空间。

放眼整个产业链，、SK海力士、美光三家企业把持全球绝大多数HBM产能，头部云厂商纷纷签订数年周期的长期供货协议，大量高端存储产能提前被长协锁定，流入公开现货市场的货源持续萎缩。KB证券据此测算，明年DRAM与NAND闪存按比特口径统计的市场需求量，将超过供给10个百分点以上，供需缺口将贯穿全年。与以往存储上行周期不同，本轮原厂资本开支大多倾斜投向HBM等高端AI存储产线，消费级、通用型存储几乎没有新增产能投入，进一步放大结构性矛盾。

截至今年第三季度，三星电子、SK海力士两大韩系存储巨头的存储芯片库存已经下滑至不足10天消耗量，库存水位创下近年历史低位。KB证券研究主管金东元在报告中指出：“这已经超越简单的需求复苏范畴，未来市场有可能出现可对外销售货品本身供给耗尽的极端局面。AI服务器的需求虹吸效应，不仅会大量消耗HBM产品，同时还将抢占服务器DDR5内存、企业级SSD的产能，行业或将迎来一场历史性的存储短缺。”

这一紧张的供需格局，正在自上而下传导至整条半导体产业链。服务器端产品价格持续走高，同时产能挤压效应外溢到消费电子领域，通用DRAM、消费级NAND现货与合约报价接连上调，下游PC、智能手机厂商的采购成本压力明显增加，终端产品成本抬升已经开始显现。但供给端的缓解并不容易，存储晶圆厂建设、设备交付周期普遍长达12‑24个月，市场普遍判断大规模新增产能释放窗口最早要到2027年下半年之后，短期很难化解当下的紧缺局面。

KB证券进一步表示，叠加两家企业有望持续落地大规模分红、回购等股东回报政策，行业基本面向上、估值处于低位的双重条件之下，当下时点或许将开启一轮明显的估值重估行情。该券商维持三星电子、SK海力士为半导体板块首选投资标的。二级市场层面，受OpenAI发布新一代大模型等多重利好催化，市场情绪出现修复迹象，在当日早盘交易时段，三星电子股价涨幅超过4%，SK海力士涨幅超过5%。

需要客观看到，市场内部依然存在分歧。也有部分行业观察人士提示，若全球AI资本开支出现不及预期的回落，存储需求扩张节奏也会随之放缓，本轮供需紧张的持续性仍需要持续跟踪云厂商真实装机落地数据。但就短期来看，库存见底叠加HBM迭代带来的产能挤占，存储芯片的紧平衡状态，仍将是接下来半导体行业最重要的产业主线。

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